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PN结丈量温度的道理是什么

归档日期:09-20       文本归类:惊蛰      文章编辑:爱尚语录

  由半导体外面可知,正在正向恒流供电条款下,PN结的正向压降与绝对温度T有线性干系,即正向压降险些随温度升高而线性消浸,这即是PN结测温的外面凭借。

  因此做温度传感器时,要谨慎施加正向恒流,比方10uA,如许才会较量确切,要是只加正向电压,那么确切性就消浸了。

  采用差别的掺杂工艺,通过扩散效力,将P型半导体与N型半导体例制正在统一块半导体(平常是硅或锗)基片上,正在它们的交壤面就造成空间电荷区称为PN结。PN结具有单指导电性,是电子工夫中很众器件所行使的性情,比方半导体二极管、双极性晶体管的物质根蒂。

  PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区慎密接触所组成的,其接触界面称为冶金结界面。

  正在一块完好的硅片上,用差别的掺杂工艺使其一边造成N型半导体,另一边造成P型半导体,咱们称两种半导体的交壤面邻近的区域为PN结。

  正在P型半导体和N型半导体勾结后,因为N型区内自正在电子为众子空穴险些为零称为少子,而P型区内空穴为众子自正在电子为少子,正在它们的交壤处就崭露了电子和空穴的浓度差。因为自正在电子和空穴浓度差的来历,有少少电子从N型区向P型区扩散,也有少少空穴要从P型区向N型区扩散。

  正在空间电荷区造成后,因为正负电荷之间的互相效力,正在空间电荷区造成了内电场,其对象是从带正电的N区指向带负电的P区。显明,这个电场的对象与载流子扩散运动的对象相反,阻挡扩散。

  打开一齐由半导体外面可知,正在正向恒流供电条款下,PN结的正向压降与绝对温度T有线性干系,即正向压降险些随温度升高而线性消浸,这即是PN结测温的外面凭借。

  因此做温度传感器时,要谨慎施加正向恒流,比方10uA,如许才会较量确切,要是只加正向电压,那么确切性就消浸了。

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